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NTBGS002N06C

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onsemi

POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211

nicht konform

NTBGS002N06C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $9.85000 $9.85
500 $9.7515 $4875.75
1000 $9.653 $9653
1500 $9.5545 $14331.75
2000 $9.456 $18912
2500 $9.3575 $23393.75
790 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta), 211A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V, 12V
rds ein (max) @ id, vgs 2.1mOhm @ 45A, 12V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 225µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4620 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 178W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

IXFB100N50Q3
IXFB100N50Q3
$0 $/Stück
MCH3478-S-TL-H
MCH3478-S-TL-H
$0 $/Stück
DMP4047LFDE-7
NTD4813NH-35G
NTD4813NH-35G
$0 $/Stück
PSMN8R2-80YS,115
DMP1005UFDF-7
BUK7Y12-40EX

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