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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 11.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 13 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1456 pF @ 12 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DPAK |
Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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