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NTD4856N-35G

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onsemi

MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK

nicht konform

NTD4856N-35G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
2550 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2241 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

IRFU220NPBF
BSS123
BSS123
$0 $/Stück
NDF04N60ZG
NDF04N60ZG
$0 $/Stück
DMN3060LCA3-7
STP36N60M6
STP36N60M6
$0 $/Stück
SQR40020ER_GE3
NTMFS5H431NLT1G
NTMFS5H431NLT1G
$0 $/Stück
FDC8878
FDC8878
$0 $/Stück

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