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NTD80N02-1G

NTD80N02-1G

NTD80N02-1G

onsemi

MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

NTD80N02-1G Technisches Datenblatt

compliant

NTD80N02-1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
58655 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 24 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

RF4C050APTR
IRF720SPBF
IRF720SPBF
$0 $/Stück
SCH1430-TL-H
SCH1430-TL-H
$0 $/Stück
RFD20N03SM9A
BUK7S2R0-40HJ
PMZB550UNEYL

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