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NTHS5402T1

NTHS5402T1

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

NTHS5402T1 Technisches Datenblatt

compliant

NTHS5402T1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.20000 $0.2
500 $0.198 $99
1000 $0.196 $196
1500 $0.194 $291
2000 $0.192 $384
2500 $0.19 $475
21000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket ChipFET™
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
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Zugehörige Teilenummer

FDT3612
FDT3612
$0 $/Stück
FDN360P
FDN360P
$0 $/Stück
NX3020NAKW,115
APT10035JLL
BUK9635-55A,118
SI7153DN-T1-GE3

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