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NTLJS3D0N02P8ZTAG

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN

compliant

NTLJS3D0N02P8ZTAG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.91000 $0.91
500 $0.9009 $450.45
1000 $0.8918 $891.8
1500 $0.8827 $1324.05
2000 $0.8736 $1747.2
2500 $0.8645 $2161.25
2000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2165 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 860mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-PQFN (2x2)
Paket / Koffer 6-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

DN3535N8-G
FDB6030L
FDC638P
FDC638P
$0 $/Stück
IPU06N03LZG
STF7N80K5
STF7N80K5
$0 $/Stück
DIT150N03
SI2305-TP
SI2305-TP
$0 $/Stück
RSE002P03TL

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