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NTMD2C02R2G

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onsemi

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

NTMD2C02R2G Technisches Datenblatt

nicht konform

NTMD2C02R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.45640 -
16455 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.2A, 3.4A
rds ein (max) @ id, vgs 43mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

BSS84DWQ-13
BUK7K18-40EX
FDZ2553NZ
DMP2160UFDB-7
BUK9K8R7-40EX
ZXMHC3A01T8TA
DMN2008LFU-7
SH8KA1GZETB

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