Welcome to ichome.com!

logo
Heim

NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G

onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC

NTMD6N02R2G Technisches Datenblatt

nicht konform

NTMD6N02R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.28710 -
5,000 $0.26730 -
12,500 $0.25740 -
25,000 $0.25200 -
539 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.92A
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100pF @ 16V
Leistung - max. 730mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SH8M41TB1
SH8M41TB1
$0 $/Stück
FDMS3626S
FDMS3626S
$0 $/Stück
PMDPB28UN,115
PMDPB28UN,115
$0 $/Stück
SLA5074
SLA5074
$0 $/Stück
ZXMN3F31DN8TA
2SK3706-MG5
2SK3706-MG5
$0 $/Stück
HP8K24TB
HP8K24TB
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.