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NTMD6N04R2G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

NTMD6N04R2G Technisches Datenblatt

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NTMD6N04R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.6A
rds ein (max) @ id, vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900pF @ 32V
Leistung - max. 1.29W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI4967DY-T1-E3
SI6943BDQ-T1-GE3
FDMS3660AS
FDMS3660AS
$0 $/Stück
SP8M8FD5TB1
IRF8910PBF
BSD235C L6327
SI4230DY-T1-GE3
NTMD4N03R2
NTMD4N03R2
$0 $/Stück

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