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NTMFS4C09NT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN

nicht konform

NTMFS4C09NT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.25320 -
3,000 $0.23086 -
7,500 $0.21596 -
10,500 $0.20107 -
37,500 $0.19064 -
942 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.9 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1252 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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