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NTMFS6H801NT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN

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NTMFS6H801NT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $2.06945 -
3,000 $1.96598 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Ta), 157A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4120 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

SIR572DP-T1-RE3
IXTA230N075T2-7
IXTA230N075T2-7
$0 $/Stück
IXTA3N100D2
IXTA3N100D2
$0 $/Stück
SI4838DY-T1-GE3
MMBF0201NLT1G
MMBF0201NLT1G
$0 $/Stück
SIR167DP-T1-GE3
NTMFS6H852NLT1G
NTMFS6H852NLT1G
$0 $/Stück
SIRA72DP-T1-GE3
FDD5353
FDD5353
$0 $/Stück

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