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NTMTS001N06CLTXG

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 398.2A

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NTMTS001N06CLTXG Preise und Bestellung

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3,000 $2.42799 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 398.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.81mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 165 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFNW (8.3x8.4)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

RM6005S4
RM6005S4
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IRFH8318TRPBF
SI7308DN-T1-E3
2SK4094-1E
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$0 $/Stück
G20N03K
G20N03K
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STFU18N65M2
IRFR222
IRFR222
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SI2304-TP
SI2304-TP
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