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NTP5860NG

NTP5860NG

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onsemi

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60

NTP5860NG Technisches Datenblatt

compliant

NTP5860NG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.54000 $3.54
50 $2.84620 $142.31
100 $2.59330 $259.33
500 $2.09990 $1049.95
1,000 $1.77100 -
8566 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 220A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10760 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 283W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STL18NM60N
STL18NM60N
$0 $/Stück
2N7002HV-TP
NVMTS001N06CLTXG
NVMTS001N06CLTXG
$0 $/Stück
3LN03SS-TL-E
3LN03SS-TL-E
$0 $/Stück
RF1K49211
RF1K49211
$0 $/Stück
BSZ042N04NS
DMT12H007SPS-13
STL24N60M6
STL24N60M6
$0 $/Stück
FDMT1D3N08B
FDMT1D3N08B
$0 $/Stück
IRFD9110
IRFD9110
$0 $/Stück

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