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NTS4173PT1G

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onsemi

MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3

NTS4173PT1G Technisches Datenblatt

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NTS4173PT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.11903 -
6,000 $0.11270 -
15,000 $0.10321 -
30,000 $0.09689 -
75,000 $0.08740 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 430 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 290mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323)
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

STD5NK40ZT4
STFU13N80K5
IRF9640STRRPBF
IXTQ120N15P
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$0 $/Stück
STW15NK90Z
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$0 $/Stück
SI8409DB-T1-E1
2N7002K
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$0 $/Stück
STF16NF25
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$0 $/Stück

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