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NVDSH50120C

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onsemi

SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

NVDSH50120C Technisches Datenblatt

compliant

NVDSH50120C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $16.54602 $16.54602
500 $16.3805598 $8190.2799
1000 $16.2150996 $16215.0996
1500 $16.0496394 $24074.4591
2000 $15.8841792 $31768.3584
2500 $15.718719 $39296.7975
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 53A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.75 V @ 50 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 200 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 3691pF @ 1V, 100kHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-247-2
Lieferantengerätepaket TO-247-2
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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