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NVMD6N03R2G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

NVMD6N03R2G Technisches Datenblatt

compliant

NVMD6N03R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
4915 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 950pF @ 24V
Leistung - max. 1.29W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

2N7002KDW-TP
SP8M10FRATB
AUIRF7342QTR
NTMFD5C674NLT1G
NTMFD5C674NLT1G
$0 $/Stück
DMN2400UV-7
SH8M2TB1
SH8M2TB1
$0 $/Stück
SI1902DL-T1-E3
DMC6070LND-7

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