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NVMFS4C05NWFT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN

nicht konform

NVMFS4C05NWFT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.43560 -
3,000 $0.39476 -
7,500 $0.36754 -
10,500 $0.35392 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1972 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

FDB110N15A
FDB110N15A
$0 $/Stück
HUF76645P3
STL11N4LLF5
FDP8030L
IXTK90P20P
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$0 $/Stück
UJ4C075018K4S
UJ4C075018K4S
$0 $/Stück

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