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NVMFS6H836NLT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN

nicht konform

NVMFS6H836NLT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.63756 $0.63756
500 $0.6311844 $315.5922
1000 $0.6248088 $624.8088
1500 $0.6184332 $927.6498
2000 $0.6120576 $1224.1152
2500 $0.605682 $1514.205
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Ta), 77A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 95µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1950 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Zugehörige Teilenummer

G3R75MT12K
SCTW40N120G2VAG
NVD5C446NT4G
NVD5C446NT4G
$0 $/Stück
FQD18N20V2TM
FQD18N20V2TM
$0 $/Stück
AUIRFR3504Z
SIR166DP-T1-GE3

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