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2SK353900L

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2SK353900L

MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-G1

2SK353900L Technisches Datenblatt

compliant

2SK353900L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4V
rds ein (max) @ id, vgs 15Ohm @ 10mA, 2.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 1µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±7V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12 pF @ 3 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SMini3-G1
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

PSMN011-30YL,115
PSMN011-30YL,115
$0 $/Stück
SPP80N04S2-04
IPB14N03LA G
FDI2532
FDI2532
$0 $/Stück
IRF840ASTRL
IRF840ASTRL
$0 $/Stück
PSMN013-100XS,127
SUP45N03-13L-E3
NTD3055-094-1
NTD3055-094-1
$0 $/Stück

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