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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (ic) (max) | 100 mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| Widerstand - Basis (r1) | 510 Ohms |
| Widerstand - Emitterbasis (r2) | 5.1 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 20 @ 5mA, 10V |
| vce-Sättigung (max) @ ib, ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 150 MHz |
| Leistung - max. | 200 mW |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | Mini3-G1 |
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