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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (ic) (max) | 500 mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| Widerstand - Basis (r1) | 10 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (r2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 60 @ 100mA, 10V |
| vce-Sättigung (max) @ ib, ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max) | 1µA |
| Frequenz - Übergang | 200 MHz |
| Leistung - max. | 300 mW |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Koffer | 3-SIP |
| Lieferantengerätepaket | NS-B1 |
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