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PJD4NA50A_L2_00001

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500V N-CHANNEL MOSFET

nicht konform

PJD4NA50A_L2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 449 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SIHP21N80AEF-GE3
AUIRFR4620TRL
RFP50N06
RFP50N06
$0 $/Stück
DMN3051L-7
IRF540SPBF
IRF540SPBF
$0 $/Stück
MMBF2201NT1
MMBF2201NT1
$0 $/Stück
IXFX140N25T
IXFX140N25T
$0 $/Stück
SI2318DS-T1-E3
IRFB4615PBF

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