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PJE8401_R1_00001

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20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJE8401_R1_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 900mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 900mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 416 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-523
Paket / Koffer SOT-523
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Zugehörige Teilenummer

DMN2230U-7
FDB8896
FDB8896
$0 $/Stück
IRF540PBF-BE3
APT8030LVFRG
IXTQ10P50P
IXTQ10P50P
$0 $/Stück
SQ2389ES-T1_BE3
CSD17556Q5BT

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