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PJE8472B_R1_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJE8472B_R1_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.82 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 34 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-523
Paket / Koffer SOT-523
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Zugehörige Teilenummer

DMTH6004SCTB-13
NVMYS1D2N04CLTWG
NVMYS1D2N04CLTWG
$0 $/Stück
QS5U27TR
QS5U27TR
$0 $/Stück
APT20M11JLL
TP65H035G4WS
TP65H035G4WS
$0 $/Stück
FQD2N90TM
FQD2N90TM
$0 $/Stück
IXTA3N100D2HV
IXTA3N100D2HV
$0 $/Stück

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