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PJL9458AL_R2_00001

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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

nicht konform

PJL9458AL_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.88000 $0.88
500 $0.8712 $435.6
1000 $0.8624 $862.4
1500 $0.8536 $1280.4
2000 $0.8448 $1689.6
2500 $0.836 $2090
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1519 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

AUIRF3305
SIHFBF30S-GE3
FQP5N20L
IRFR9120TRPBF
PSMN2R8-40YSDX
RS1L145GNTB
STB20NM50FDT4

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