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PJP2NA90_T0_00001

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PJP2NA90_T0_00001

900V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJP2NA90_T0_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.31000 $1.31
500 $1.2969 $648.45
1000 $1.2838 $1283.8
1500 $1.2707 $1906.05
2000 $1.2576 $2515.2
2500 $1.2445 $3111.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 396 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 80W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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