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PJQ4402P_R2_00001

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PJQ4402P_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4402P_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
4991 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2436 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF9Z14LPBF
IRF9Z14LPBF
$0 $/Stück
SI1424EDH-T1-GE3
SI4178DY-T1-GE3
NTHS4101PT1G
NTHS4101PT1G
$0 $/Stück
FQPF7N65CYDTU
FQPF7N65CYDTU
$0 $/Stück
NVMFS5C460NLAFT3G
NVMFS5C460NLAFT3G
$0 $/Stück
APT5010JVFR
IRLL014NTRPBF

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