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PJQ4404P_R2_00001

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PJQ4404P_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4404P_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1323 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRL540STRLPBF
MSC100SM70JCU2
BUK9606-75B,118
FCP20N60
FCP20N60
$0 $/Stück
SIHH26N60EF-T1-GE3
STP12NK30Z
STP12NK30Z
$0 $/Stück
IXTP48N20T
IXTP48N20T
$0 $/Stück
IRLZ44PBF
IRLZ44PBF
$0 $/Stück

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