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PJQ4409P_R2_00001

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PJQ4409P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4409P_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta), 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.8 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 870 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI4116DY-T1-GE3
HUFA75344S3
FCB36N60NTM
FCB36N60NTM
$0 $/Stück
GA05JT03-46
IRFU320PBF
IRFU320PBF
$0 $/Stück
IXTK90N25L2
IXTK90N25L2
$0 $/Stück
NVD5C632NLT4G
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$0 $/Stück

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