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PJQ4466AP-AU_R2_000A1

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4466AP-AU_R2_000A1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.98000 $0.98
500 $0.9702 $485.1
1000 $0.9604 $960.4
1500 $0.9506 $1425.9
2000 $0.9408 $1881.6
2500 $0.931 $2327.5
4900 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta), 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1680 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

BUK7226-75A118
BUK7226-75A118
$0 $/Stück
FDP7042L
IXTA200N055T2
IXTA200N055T2
$0 $/Stück
APT8052BFLLG
IXTH24N50L
IXTH24N50L
$0 $/Stück
STP28N65M2
STP28N65M2
$0 $/Stück
FDP18N50
FDP18N50
$0 $/Stück
IXTQ44P15T
IXTQ44P15T
$0 $/Stück
BUK956R1-100E,127

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