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PJQ4476AP-AU_R2_000A1

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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

nicht konform

PJQ4476AP-AU_R2_000A1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.10000 $1.1
500 $1.089 $544.5
1000 $1.078 $1078
1500 $1.067 $1600.5
2000 $1.056 $2112
2500 $1.045 $2612.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1519 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 62W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SQP100N04-3M6_GE3
FDMC86265P
FDMC86265P
$0 $/Stück
IXFN240N25X3
IXFN240N25X3
$0 $/Stück
NVTFS4C08NWFTAG
NVTFS4C08NWFTAG
$0 $/Stück
LSIC1MO170T0750
IRFD9210PBF
IRFD9210PBF
$0 $/Stück
CSD18514Q5A
CSD18514Q5A
$0 $/Stück

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