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PJQ5411_R2_00001

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PJQ5411_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ5411_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
5990 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1556 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN5060-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

FCH104N60F
FCH104N60F
$0 $/Stück
NTMFS4985NFT1G
NTMFS4985NFT1G
$0 $/Stück
2SK3711
2SK3711
$0 $/Stück
DMN3018SSS-13
RM100N60T2
RM100N60T2
$0 $/Stück
IRFS540A
IRF9Z24STRLPBF

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