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PJS6461_S1_00001

PJS6461_S1_00001

PJS6461_S1_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJS6461_S1_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 785 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Paket / Koffer SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

STB36N60M6
STB36N60M6
$0 $/Stück
IXFA26N30X3
IXFA26N30X3
$0 $/Stück
C3M0021120K
C3M0021120K
$0 $/Stück
PSMN013-100PS,127
IXFA130N15X3TRL
IXFA130N15X3TRL
$0 $/Stück
IXTA160N10T7
IXTA160N10T7
$0 $/Stück
BUK9608-55B,118
SIHB120N60E-T1-GE3
FCU5N60TU

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