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PJS6602_S2_00001

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PJS6602_S2_00001

20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

nicht konform

PJS6602_S2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.49000 $0.49
500 $0.4851 $242.55
1000 $0.4802 $480.2
1500 $0.4753 $712.95
2000 $0.4704 $940.8
2500 $0.4655 $1163.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel Complementary
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.2A (Ta), 3.4A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 5.2A, 4.5V, 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.1nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 396pF @ 10V, 522pF @ 10V
Leistung - max. 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

MRF8S9170NR3,528
MRF8S9170NR3,528
$0 $/Stück
SI3900DV-T1-GE3
DMC2710UDWQ-13
MC7252KDW-TP
SISF20DN-T1-GE3
SH8K10SGZETB
PMDPB30XN,115
CSD83325LT
CSD83325LT
$0 $/Stück
SIZF928DT-T1-GE3

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