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PJS6603_S2_00001

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PJS6603_S2_00001

30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

nicht konform

PJS6603_S2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel Complementary
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 235pF @ 15V, 396pF @ 15V
Leistung - max. 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

IRF7316TRPBF
PMV50EPEA,215
SQJ914EP-T1_BE3
SI7923DN-T1-GE3
NDS8947
APTM10TAM19FPG
MCH6663-TL-W
MCH6663-TL-W
$0 $/Stück
BSS138DW-7-F

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