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PJT7002H_R1_00001

PJT7002H_R1_00001

PJT7002H_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJT7002H_R1_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.26000 $0.26
500 $0.2574 $128.7
1000 $0.2548 $254.8
1500 $0.2522 $378.3
2000 $0.2496 $499.2
2500 $0.247 $617.5
2720 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 250mA (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 22pF @ 25V
Leistung - max. 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

NTTFD4D1N03P1E
NTTFD4D1N03P1E
$0 $/Stück
APTC80A15SCTG
NDH8321C
MRF6V2300NBR5,578
SFT1427-TL-E
SFT1427-TL-E
$0 $/Stück
NTMFD5C462NLT1G
NTMFD5C462NLT1G
$0 $/Stück
APTM50DHM38G

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