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PJW7N06A-AU_R2_000A1

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJW7N06A-AU_R2_000A1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.75000 $0.75
500 $0.7425 $371.25
1000 $0.735 $735
1500 $0.7275 $1091.25
2000 $0.72 $1440
2500 $0.7125 $1781.25
2220 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 34mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1173 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

2SK4100LS-T-MG5
2SK4100LS-T-MG5
$0 $/Stück
FDD6780
NTE2378
NTE2378
$0 $/Stück
SI4056ADY-T1-GE3
PMF87EN,115
PMF87EN,115
$0 $/Stück
IRFP4710PBF
BUK7Y08-40B,115
DMTH62M8LPS-13
SIHG33N60E-GE3

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