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QJD1210SA2

QJD1210SA2

QJD1210SA2

Powerex Inc.

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

QJD1210SA2 Technisches Datenblatt

nicht konform

QJD1210SA2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 34mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 330nC @ 15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8200pF @ 10V
Leistung - max. 415W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer Module
Lieferantengerätepaket Module
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Zugehörige Teilenummer

IRF620R4587
GMM3X120-0075X2-SMDSAM
GMM3X120-0075X2-SMDSAM
$0 $/Stück
IRF610S2497
EFC2J011NUZTDG
EFC2J011NUZTDG
$0 $/Stück
EFC2J017NUZTDG
EFC2J017NUZTDG
$0 $/Stück
GMM3X160-0055X2-SMD
GMM3X160-0055X2-SMD
$0 $/Stück
FDS8984_F123
FDS8984_F123
$0 $/Stück

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