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RM100N30DF

RM100N30DF

RM100N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 100A 8DFN

RM100N30DF Technisches Datenblatt

compliant

RM100N30DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.36000 $0.36
500 $0.3564 $178.2
1000 $0.3528 $352.8
1500 $0.3492 $523.8
2000 $0.3456 $691.2
2500 $0.342 $855
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5000 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 65W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

MTB30P06V
MTB30P06V
$0 $/Stück
FQU8N25TU
STB30N80K5
STB30N80K5
$0 $/Stück
FDP090N10
FDP090N10
$0 $/Stück
FDMC7672

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