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RM110N82T2

RM110N82T2

RM110N82T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 82V 110A TO220-3

RM110N82T2 Technisches Datenblatt

compliant

RM110N82T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 82 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6400 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

APT5010LVRG
PSMN8R0-40PS,127
NVS4409NT1G
NVS4409NT1G
$0 $/Stück
2SJ665-DL-1EX
2SJ665-DL-1EX
$0 $/Stück
STF24N60DM2
APT38N60BC6

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