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RM11N800T2

RM11N800T2

RM11N800T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

RM11N800T2 Technisches Datenblatt

compliant

RM11N800T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.44000 $1.44
500 $1.4256 $712.8
1000 $1.4112 $1411.2
1500 $1.3968 $2095.2
2000 $1.3824 $2764.8
2500 $1.368 $3420
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 188W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTA160N10T
IXTA160N10T
$0 $/Stück
NVH4L080N120SC1
NVH4L080N120SC1
$0 $/Stück
SIHD240N60E-GE3
ZVN4306GVTA

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