Welcome to ichome.com!

logo
Heim

RM11N800TI

RM11N800TI

RM11N800TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 800V 11A TO220F

RM11N800TI Technisches Datenblatt

nicht konform

RM11N800TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.44000 $1.44
500 $1.4256 $712.8
1000 $1.4112 $1411.2
1500 $1.3968 $2095.2
2000 $1.3824 $2764.8
2500 $1.368 $3420
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

UF3C120080K4S
UF3C120080K4S
$0 $/Stück
IXFK220N17T2
IXFK220N17T2
$0 $/Stück
SI4425DDY-T1-GE3
APT5020BVRG
SIHA17N80E-GE3
STP40N65M2
STP40N65M2
$0 $/Stück
C3M0040120K
C3M0040120K
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.