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RM120N30T2

RM120N30T2

RM120N30T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 30V 120A TO220-3

RM120N30T2 Technisches Datenblatt

compliant

RM120N30T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.33000 $0.33
500 $0.3267 $163.35
1000 $0.3234 $323.4
1500 $0.3201 $480.15
2000 $0.3168 $633.6
2500 $0.3135 $783.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3550 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS6H888NTAG
NVTFS6H888NTAG
$0 $/Stück
NDD60N900U1-35G
NDD60N900U1-35G
$0 $/Stück
IRFI9620GPBF
IRFI9620GPBF
$0 $/Stück
BSS192,115
BSS192,115
$0 $/Stück
SQJA02EP-T1_GE3
FCPF7N60
FCPF7N60
$0 $/Stück
DMS3016SSS-13
STP150NF55
STP150NF55
$0 $/Stück
STP9NK65Z
STP9NK65Z
$0 $/Stück

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