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RM120N40T2

RM120N40T2

RM120N40T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3

RM120N40T2 Technisches Datenblatt

compliant

RM120N40T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5400 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF2805PBF
AUIRFSL6535
SQJ422EP-T1_BE3
SI4435DYTRPBF
DKI04103
DKI04103
$0 $/Stück
SIHG24N65E-E3
CSD13383F4
CSD13383F4
$0 $/Stück

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