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RM130N30D3

RM130N30D3

RM130N30D3

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 130A 8DFN

RM130N30D3 Technisches Datenblatt

compliant

RM130N30D3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.22000 $0.22
500 $0.2178 $108.9
1000 $0.2156 $215.6
1500 $0.2134 $320.1
2000 $0.2112 $422.4
2500 $0.209 $522.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4200 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SQJ164ELP-T1_GE3
NVMFS5C604NLWFAFT1G
NVMFS5C604NLWFAFT1G
$0 $/Stück
SCH1332-TL-W
SCH1332-TL-W
$0 $/Stück
CSD17555Q5A
CSD17555Q5A
$0 $/Stück
IRFR1N60ATRPBF

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