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RM150N30LT2

RM150N30LT2

RM150N30LT2

Rectron USA

MOSFET N-CH 30V 150A TO220-3

RM150N30LT2 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM150N30LT2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

HUFA76439P3
FDPF3N50NZ
FDPF3N50NZ
$0 $/Stück
2SJ654
2SJ654
$0 $/Stück
FDS5672
FDS5672
$0 $/Stück
NTMFS4851NT1G
NTMFS4851NT1G
$0 $/Stück
RM40N40LD
RM40N40LD
$0 $/Stück
PSMN2R6-30YLC,115

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