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RM15N650TI

RM15N650TI

RM15N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220F

RM15N650TI Technisches Datenblatt

compliant

RM15N650TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.92000 $0.92
500 $0.9108 $455.4
1000 $0.9016 $901.6
1500 $0.8924 $1338.6
2000 $0.8832 $1766.4
2500 $0.874 $2185
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 260mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1360 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RXH070N03TB1
STP140N8F7
STP140N8F7
$0 $/Stück
NDD60N360U1-1G
NDD60N360U1-1G
$0 $/Stück
FCMT360N65S3
FCMT360N65S3
$0 $/Stück
DMN63D1L-13
BFL4007
BFL4007
$0 $/Stück
IRF250P224

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