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RM2302

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23

RM2302 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM2302 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.04200 $0.042
500 $0.04158 $20.79
1000 $0.04116 $41.16
1500 $0.04074 $61.11
2000 $0.04032 $80.64
2500 $0.0399 $99.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 45mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

BSS123L
BSS123L
$0 $/Stück
FQPF6N40CF
NTTFS3A08PZTWG
NTTFS3A08PZTWG
$0 $/Stück
NTD32N06-1G
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$0 $/Stück
2N7002HWX
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$0 $/Stück
IXFK64N50Q3
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$0 $/Stück
STB11NM80T4
STF20NF20
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$0 $/Stück
DMN3900UFA-7B

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