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RM24N200TI

RM24N200TI

RM24N200TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 220V 24A TO220F

RM24N200TI Technisches Datenblatt

nicht konform

RM24N200TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 220 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTQ69N30P
IXTQ69N30P
$0 $/Stück
FDB0300N1007L
FDB0300N1007L
$0 $/Stück
BUK7Y19-100EX
SI3442DV
DN2450K4-G
IRFD9014PBF
IRFD9014PBF
$0 $/Stück
MTD3055VL
MTD3055VL
$0 $/Stück
STB150N3LH6

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