Welcome to ichome.com!

logo
Heim

RM30N100LD

RM30N100LD

RM30N100LD

Rectron USA

MOSFET N-CH 100V 30A TO252-2

RM30N100LD Technisches Datenblatt

nicht konform

RM30N100LD Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.35000 $0.35
500 $0.3465 $173.25
1000 $0.343 $343
1500 $0.3395 $509.25
2000 $0.336 $672
2500 $0.3325 $831.25
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 31mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-2
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTMFS5C404NLTWFT1G
NTMFS5C404NLTWFT1G
$0 $/Stück
IXTA3N110
IXTA3N110
$0 $/Stück
IXFA16N60P3
IXFA16N60P3
$0 $/Stück
NVMJS0D9N04CTWG
NVMJS0D9N04CTWG
$0 $/Stück
SIHB18N60E-GE3
IPA50R950CE
BUK6D30-40EX
MTP5P25
MTP5P25
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.